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總投資10億元 成都高投芯未高端功率半導體項目開工

2022年08月09日07:35 | 來源:成都日報
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原標題:總投資10億元 成都高投芯未高端功率半導體項目開工

  成都高投芯未高端功率半導體項目效果圖 成都高新區供圖

  昨日上午,成都高新西區高投芯未高端功率半導體器件及模組研發生產項目現場,一台台大型機械設備整齊排列、蓄勢待發。隨著開工號令的宣布,現場機器轟鳴、鐵臂揮動,項目建設正式啟動。

  據悉,高端功率半導體器件及模組研發生產項目總投資約10億元,建成投產后將為功率半導體設計企業提供IGBT特色授權委托加工服務,包括IGBT芯片、模組及方案組建產品等,實現年營收9億元,助力成都電子信息產業建圈強鏈和先進制造業高質量發展,加快構建競爭優勢突出的現代產業體系。

  一期將建設兩條產線

  記者了解到,高端功率半導體器件及組件研發生產項目佔地30畝,計劃分兩期建設。其中,一期將建設一條8英寸超薄IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)特色背面晶圓線,一條高端功率半導體集成封裝生產線,計劃今年年底完成廠房封頂。

  “一期項目建成后,將形成年產120萬隻功率半導體模塊制造能力,10萬套集成組件生產能力。”成都高投芯未半導體有限公司執行董事兼總經理胡強介紹,按照計劃,明年6月將完成包括潔淨廠房在內的所有裝修工作,具備設備搬遷的條件。此外,明年第三季度封裝產線進入聯調階段,第四季度投入試生產,到2024年第一季度,IGBT背面超薄晶圓特色工藝平台也將投入使用,並將於2025年擇機啟動二期擴產建設。

  胡強表示,通過項目一期和二期建設,芯未半導體公司將進一步豐富完善基於自主創新技術的生產工藝平台,整體技術水平進入行業前列。

  重點片區開展項目集群攻堅

  從拿地到動工,高端功率半導體器件及組件研發生產項目用時不到5個工作日,全面刷新了拿地建設時間紀錄。這背后,是成都高新區把全面優化營商環境作為高質量發展的重中之重。

  為全面提升工程建設項目審批效能,成都高新西區發展建設指揮部有效整合規劃、國土、建設等行政審批職能,聯動不動產登記中心,錨定高效率促建目標,創新流程同步推進項目建設全流程審批。同時,組建起“指揮部領導挂點服務+部門召集人兩進服務+工作人員包干服務”三級協同管家團,變部門“坐等”審批為主動“靠前”服務,變“串聯辦”為“並聯辦”,最大限度優化、簡化、整合審批流程和審批環節,確保項目落地不斷加速。

  “我們將以智能制造驅動傳統工業園區轉型為公園城市現代化產業新城,以建圈強鏈做強電子信息產業集群增強核心競爭力全球影響力的實施路徑,瞄准打造‘集成電路+新型顯示’世界級電子信息產業集群,開展項目集群大會戰。”成都高新西區發展建設指揮部副指揮長沈鋒介紹。(成都日報錦觀新聞記者 吳怡霏)

(責編:章華維、羅昱)

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